英特尔+软银集团的目标?

巨型美国芯片英特尔与日本技术和巨型软银投资合作，提出了堆叠的DRAM解决方案，以取代高带宽记忆。据报道，双方共同创立了一家新公司Saimemory，共同创建原型产品。该项目将使用东京大学持有的英特尔技术和数据交付专利，软银将成为最大的股东，其资本投资为30亿日元（总投资近100亿日元）。本文指出：合作计划，旨在完成2027年的原型开发并评估大众劳动的可行性，目的是在2030年之前进行商业化。Saimemory将主要关注芯片设计和专利管理，而芯片制造过程将在外部基础上释放，以负责制造生产制造业。制造模型的划分将有助于充分发挥作用各方并提高研发效率。如果这项技术成功，那么软银期望优先考虑授予权利，并开发协同连锁店对其在AI业务（例如建筑架构）投资的收益。有一次，如果对AI的计算能力的需求爆炸了，由于数据吞吐量要求适用于AI处理器，但它一直是市场的重点，但是高成本，高电力消耗和由复杂过程引起的热量问题变得越来越好。因此，软银和英特尔计划通过使用与现有的HBMS不同的接线方法来增加存储容量，同时减少Cape OverptionData的交付：垂直堆叠着许多鼓芯片并改善了英特尔的Intel Embedd embedd embedd embedd embedd embedd embedd embedded multi-chip多芯片互连桥梁技术）。至少达到两倍的存储容量，同时将电力消耗降低40％，并大大降低成本。 Saimemory不是FIRST公司探索3D堆叠的鼓，三星宣布了计划开发3D鼓并去年年初堆放鼓的计划。但是，这些项目的重点是提高单芯片能力，目的是使每个内存模块的容量达到512GB。相比之下，Saimemory的主要目的是减少电力消耗 - 这是当前数据中心中的PIU，尤其是在推进AI计算功耗年的背景下 - IT。目前，只有三星，SK Hynix和Micron才能创建最新一代HBM芯片的质量。通过攀登对AI芯片的需求和对HBM的供应越来越严重，Saimemory希望通过这种替代方案占据日本数据市场，并进一步扩大其影响力。在20多年后，日本还首次试图重返主要记忆供应商等级。在1980年代，日本公司征服了全球M共享的约70％当时的Emory记忆和覆盖行业。但是，随着韩国和台湾制造商的兴起，1990年代后和市场共享崩溃了，大多数日本记忆公司逐渐脱离市场，只给材料和设备带来了好处。 AI服务器的记忆复兴野心正在推动HBM价格在2024年上涨超过50％，到2025年仍然缺乏供应。“堆叠的DRAM芯片”可以大大降低电力消耗真正寻求为市场充电而不是进入现有市场。如果SAIMEMORY替代解决方案可以到2030年产生质量，则预计将进入日本数据中心市场，并吸引对具有低功耗收益的电费敏感的互联网公司。与三星和SK Hynix相比，Sainemory将自己定义为寓言芯片设计和知识所有者管理公司回忆。根据东京电视台的说法，Sainemory将于7月开始运营，软银担任金融公司的首席官员，英特尔担任首席技术官员，东京大学，担任首席科学官员，而东芝前任主管将担任首席执行官。由于1980年代的DRAM市场共享的70％以上，日本的最终鼓制造商Elpida在2012年破产，美国Micron收购了美国。由东芝删除的Kioxia目前仅产生NAND的闪存。韩国是制造芯片记忆的领导者，三星和SK Hynix提供了全球DRAM市场的73％，占NASA闪存市场的51％，控制了HBM全球市场约90％。日本政府正在onsoftbank工作，以重建该国的半导体行业。去年4月，软银开始在北海道开发日本最大的数据中心，投资650亿日元，其中近45％由政府补贴。该设施位于Rapidus附近，引发了人们的猜测，它将从新铸造厂购买芯片。根据Asahi Shimbun的说法，日本现在已承诺将1.82万亿日元投资于Rapidus，并已将《信息处理促进法》等法律更改为最终。对于英特尔来说，这种合作也是“ IDM 2.0”方法的扩展，该方法通过开放的技术合作扩大了生态学的影响，而不是仅依靠其自身的制造能力。但是，该技术的实施仍然面临许多挑战：如果加速器制造质量可以真正低于HBM，并且适应与现有AI处理器的兼容性，则堆叠鼓的3D收益率控制均需要时间验证。